三星今天在韩国宣布,开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。其实在今年1月,三星已经向关键的大客户出货采用64层 V-NAND介质的SSD产品,如今半年过去,产能扩充,消费级用户可以顺利用上了。新的闪存芯片将用于生产手机UFS存储、PC/服务器固态盘、外置存储卡等产品

三星强调,新一代64层V-NAND的带宽速率高达1Gbps,是目前业界最快,是上一代48层3bit的1.5倍。

TB固态盘/UFS 3.0来了 三星量产全球最快64层3D闪存

另外,在功耗方面,电压从3.3V降低到2.8V,说明工艺改良了不少,漏电极大减少,从而使效能提升30%。

竞争对手方面,东芝的64层也已经少量出货,SK海力士计划在今年底量产更激进的72层产品。不过,三星强调,作为一哥和3D NAND的始创者,它们有信心继续保持领先,并在年底前将64层闪存的产能覆盖到月度总量的50%以上。

可以预见,以TB为单位的固态盘、以及128GB以上的UFS3.0手机闪存或将迅速普及开来。

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